PROCESS

Intel 14 nm (2014 disclosure)

Intel의 2014년 공정은 2세대 트라이게이트 FinFET을 사용한다. 제조사가 공개한 핀 피치 42 nm, 게이트 피치 70 nm, 배선 피치 52 nm는 14 nm 세대명과 다른 물리 치수다. Intel은 Core M을 이 공정으로 제조한 첫 제품으로 소개하고 2014년 8월 양산을 발표했다. 여기서는 해당 시점의 구현을 다루며 모든 후속 14 nm 변형에 같은 치수를 부여하지 않는다.

Intel 14nmIntel 14 nm process

operating Family: logic CMOS
gate Geometry: FinFET / tri-gate
integration: commercial process implementation
application: Core M / Broadwell
research Commercial: volume production reported 2014-08-11

사양

6 SOURCE-LINKED FIELDS

Packaging, power & physical analysis
Reported SRAM cell area	Manufacturer / primary sourceIntel Scope: process-variant Source date: 2014-08-11 Intel’s 2014 disclosure; not a universal value for every vendor or later 14 nm process variant.
Transistor structure	Manufacturer / primary sourceIntel Scope: process-variant Source date: 2014-08-11
Additional specifications
Fin pitch	Manufacturer / primary sourceIntel Scope: process-variant Source date: 2014-08-11 Intel’s 2014 disclosure; not a universal value for every vendor or later 14 nm process variant.
Gate pitch	Manufacturer / primary sourceIntel Scope: process-variant Source date: 2014-08-11 Intel’s 2014 disclosure; not a universal value for every vendor or later 14 nm process variant.
Interconnect pitch	Manufacturer / primary sourceIntel Scope: process-variant Source date: 2014-08-11 Intel’s 2014 disclosure; not a universal value for every vendor or later 14 nm process variant.
Fin height	Manufacturer / primary sourceIntel Scope: Intel 2014 14 nm process disclosure Source date: 2014-08-11

THE VISUAL EVIDENCE

시각 자료

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TECHNICAL ARTICLE

Intel 14 nm: a process name and several physical dimensions

모든 수치에 제조사와 공정의 범위를 함께 기록합니다.

인용한 출처를 바탕으로 작성한 VLSI Museum의 해설입니다. · 2026-09-07

서로 다른 치수의 공존

인텔은 핀 피치 42 nm, 게이트 피치 70 nm, 배선 피치 52 nm를 공개했습니다. Museum의 해석: 공정명만으로 비교에 필요한 개별 치수를 대신할 수 없습니다.

PRIMARY SOURCEIntel

특정 제조사와 공정 세대

2014년 8월 발표는 인텔의 2세대 트라이게이트 트랜지스터를 명시합니다. 이 기록은 당시 공개한 공정을 설명하며, 인텔의 치수를 다른 파운드리나 모든 후속 변형 공정에 적용하지 않습니다.

PRIMARY SOURCEIntel

근거가 있는 연결 따라가기

근거가 있는 연결

3 SOURCE-LINKED RELATIONSHIPS

developed byIntelcompany

Intel · 근거

출처 문서Intel 14 nm Technology Announcement (2014)document

Intel · 근거

implements device geometryFinFET logic transistordevice

Commercial 2014 process implementation of tri-gate FinFET geometry; not a universal technology succession.

Intel · 근거

출처와 당시의 맥락

Intel 14 nm Technology Announcement — Mark Bohr, 11 August 2014

Intel · official-disclosure · Presentation text checked at PDF pages 14, 15, 23 and 37 (one-based); source linked, slides and photographs not republished.

Intel discloses 14 nm manufacturing process technical details

Intel · official-disclosure · Official release and date checked; linked package photo credits Business Wire and remains unacquired.