VLSI KoreaCommercial 2014 process implementation of tri-gate FinFET geometry; not a universal technology succession.
Intel · 근거DEVICE
FinFET logic transistor
FinFET은 게이트 물질이 채널의 세 면을 덮는 구조로 GAA와 대비됩니다.
FinFET핀펫
- gate Geometry
- fin · three-sided-gate
사양
2 SOURCE-LINKED FIELDS| Gate geometry | Manufacturer / primary sourceSamsung Electronics Scope: concept |
|---|---|
| Comparison | Manufacturer / primary sourceSamsung Electronics Scope: concept |
THE VISUAL EVIDENCE
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근거가 있는 연결
1 SOURCE-LINKED RELATIONSHIPS출처와 당시의 맥락
Driving Semiconductor Performance with Gate-All-Around (GAA)
Samsung Electronics · official-disclosure · source linked