SAMSUNG / SILICON DESIGN

Samsung Exynos 2600

C1 CPU 구성부터 패키지의 방열 경로까지 살펴보며, 공식 기능과 커널에서 도출한 분석을 구분한다.

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Origin & contributions

Original source · Retrieved 2026-09-09

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Samsung Exynos 2600 SoC. Frontside die view, as identified by source

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원본과 고해상도

사양

45 SOURCE-LINKED FIELDS

Identity & fabrication
Year	Manufacturer / primary sourceSamsung Scope: silicon-die Source date: 2025-12-18 Year identifies first public introduction where a dated launch is available; see record notes for exceptions.
Process	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die Samsung process designation; not a measured gate dimension.
Foundry	Published analysisKurnal Insights Scope: silicon-die Source date: 2026-05-29 Independent analyst attribution.
Product status	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die Status on the manufacturer page as accessed on 2026-09-09.
CPU & clock domains
CPU architecture	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
CPU cores	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
CPU configuration	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
CPU prime core	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
CPU performance cores	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
CPU efficiency-oriented cores	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
CPU matrix extension	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Graphics
GPU	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
GPU features	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
ENSS techniques	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
AI & security
NPU configuration	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die Array configuration. MAC count is not a TOPS rating without precision, clock and operation-count conventions.
AI deployment	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Security	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Memory & interfaces
Memory	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Storage	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Camera, video & display
Display	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Maximum camera resolution	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die ISP capability; actual phone sensor resolution is device-specific.
Single-camera processing	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Dual-camera processing	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
ISP features	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Video encoding	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Video decoding	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die
Video codecs	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die Codec support list; the page does not assign every codec to every listed encode/decode mode.
Connectivity & devices
Documented devices	Manufacturer / primary sourceSamsung Newsroom Scope: silicon-die Source date: 2026-02-26 This launch table establishes Singapore variants; other markets can use different processors.
Device availability	Manufacturer / primary sourceSamsung Newsroom Scope: silicon-die Source date: 2026-02-26 Singapore general availability; distinct from the chip introduction in 2025.
Device connectivity	Manufacturer / primary sourceSamsung Newsroom Scope: silicon-die Source date: 2026-02-26 Device-level specifications, not proof that Wi-Fi or Bluetooth radios are integrated on this SoC.
Packaging, power & physical analysis
Reported die width	Published analysisKurnal Insights Scope: silicon-die Source date: 2026-05-29 Original analyst catalog value. Public entry gives dimensions but does not document calibration, die boundary convention, specimen provenance or uncertainty.
Reported die height	Published analysisKurnal Insights Scope: silicon-die Source date: 2026-05-29 Original analyst catalog value. Public entry gives dimensions but does not document calibration, die boundary convention, specimen provenance or uncertainty.
Reported die area	Published analysisKurnal Insights Scope: silicon-die Source date: 2026-05-29 Original analyst catalog value. Public entry gives dimensions but does not document calibration, die boundary convention, specimen provenance or uncertainty.
Verified die geometry	UnconfirmedSamsung Scope: silicon-die Source date: 2025-12-18 No source meeting calibrated geometry requirements accepted in this scout pass. Reported measurements, if present, remain separately labeled.
Thermal packaging	Manufacturer / primary sourceSamsung Semiconductor Scope: silicon-die EMC: epoxy molding compound. Samsung describes high-k EMC in the heat-dissipation context.
Reported CPU scheduler groups	Published analysisgamma0burst Scope: silicon-die Source date: 2026-03-25 Kernel-derived report; the two low-frequency C1-Pro groups appear as six cores in the official 1 + 3 + 6 specification.
Reported GPU organization	Published analysisgamma0burst Scope: silicon-die Source date: 2026-03-25 Reported kernel configuration; shader-lane, TMU and ROP counts remain unverified.
Reported GPU frequency range	Published analysisgamma0burst Scope: silicon-die Source date: 2026-03-25 Reported operating table, not guaranteed sustained frequency.
Reported NPU organization	Published analysisgamma0burst Scope: silicon-die Source date: 2026-03-25
Reported modem pairing	Published analysisgamma0burst Scope: silicon-die Source date: 2026-03-25 The analyst reports an S5410 pairing and no integrated-modem entry in the examined kernel.
Estimated CPU complex area	Published analysisReptalica Scope: silicon-die Source date: 2026-04-25 Die-photo annotation; calibration and block-boundary uncertainty are not established. Original post text was accessible through the Vengineer embed.
Estimated GPU complex area	Published analysisReptalica Scope: silicon-die Source date: 2026-04-25 Die-photo annotation; calibration and block-boundary uncertainty are not established. Original post text was accessible through the Vengineer embed.
Estimated NPU complex area	Published analysisReptalica Scope: silicon-die Source date: 2026-04-25 Die-photo annotation; calibration and block-boundary uncertainty are not established. Original post text was accessible through the Vengineer embed.
Estimated SLC + tags area	Published analysisReptalica Scope: silicon-die Source date: 2026-04-25 Die-photo annotation; calibration and block-boundary uncertainty are not established. Original post text was accessible through the Vengineer embed.
Reported LPDDR5X PHY regions	Published analysisReptalica Scope: silicon-die Source date: 2026-04-25 An annotated region count does not establish aggregate bus width or package routing.

기술 해설이 있는 기록해설·기록 업데이트 2026-09-09

ARCHITECTURE → RTL → GDS

이 기록으로 설계 검토하기

전체 설계 가이드 ↗

확인된 사양에서 출발해 아래 검토 항목을 활용하세요. 검토 항목은 설계 지침이며 이 제품의 비공개 RTL이나 물리 구현을 설명하는 것은 아닙니다.

CPU cores: Samsung Semiconductor ↗
GPU: Samsung Semiconductor ↗
Process: Samsung Semiconductor ↗
Memory: Samsung Semiconductor ↗
Storage: Samsung Semiconductor ↗
NPU configuration: Samsung Semiconductor ↗
Reported die area: Kurnal Insights ↗

워크로드와 트래픽 모델

공개된 CPU·그래픽·AI·I/O 엔진 사이의 트래픽 행렬을 만드세요. 공유 메모리의 중재와 버퍼 크기를 정하기 전에 동시 버스트·데이터 재사용·최악 응답 시간을 모델링하세요.

RTL 전에 정할 계약

대표적인 생산자-소비자 경로를 고르고 수락 조건·순서·백프레셔·미완료 요청 용량·리셋 복구를 명세하세요. 데이터패스를 최적화하기 전에 이 계약을 assertion과 테스트 시나리오로 바꾸세요.

실현 가능한 물리설계

매크로 abstract·핀 배치·타이밍 라이브러리·활동도 기반 전력 추정치를 확보하세요. 매크로 인접성·배선 채널·전원 연결성을 함께 검토해야 합니다. 주석 다이 사진은 검토 질문을 찾는 데 유용하지만 넷리스트·PDK·사인오프 제약을 제공하지는 않습니다.

TECHNICAL ARTICLE

Exynos 2600: CPU, AI, imaging and the heat path

C1 CPU 구성부터 패키지의 방열 경로까지 살펴보며, 공식 기능과 커널에서 도출한 분석을 구분한다.

인용한 출처를 바탕으로 작성한 VLSI Museum의 해설입니다. · 2026-09-09

10코어와 세 가지 성능 구간

삼성은 CPU를 C1-Ultra 1개, 고성능 C1-Pro 3개, 효율 중심 C1-Pro 6개로 설명한다. Exynos 2500의 Cortex-A520 계열 리틀 코어 자리를 C1-Pro가 대신한다. SME2는 CPU에서 머신러닝 연산을 처리할 때 쓰는 행렬 명령 확장이며, 별도의 NPU와 구분된다.

PRIMARY SOURCESamsung Semiconductor

AI 실행과 부팅 단계의 보안

공식 NPU 구성은 32K MAC이다. PyTorch 모델을 기기에서 실행하도록 옮기는 ExecuTorch도 지원한다. 가상화 보안과 ROM 단계부터 적용하는 하이브리드 양자 내성 암호는 실행 환경의 분리와 소프트웨어 검증을 위한 기능이다. MAC 수만으로 다른 칩과 비교 가능한 TOPS를 계산할 수는 없다.

PRIMARY SOURCESamsung Semiconductor

렌더링·화면 복원·프레임 생성

Xclipse 960은 레이 트레이싱과 함께 ENSS의 신경망 업스케일링·프레임 생성을 지원한다. 원래 프레임을 렌더링하는 일, 고해상도 화면을 복원하는 일, 중간 프레임을 생성하는 일은 서로 다르다. 따라서 삼성의 각 개선 수치를 하나의 실제 렌더링 속도 배수로 합산하면 안 된다.

PRIMARY SOURCESamsung Semiconductor

센서 입력부터 영상 출력까지

VPS는 장면의 내용을 분석하고, DVNR은 저조도 영상의 노이즈를 줄인다. ISP의 최대 센서 지원 해상도는 320MP지만 실시간 처리 모드에는 108MP·30fps와 64MP+32MP 듀얼 입력이 따로 명시된다. 영상 블록의 8K·30fps 인코딩, 8K·60fps 디코딩, APV 지원도 각각 구분해서 읽어야 한다.

PRIMARY SOURCESamsung Semiconductor

열이 빠져나가는 경로를 고려한 패키지

히트 패스 블록과 고열전도 EMC는 패키지에서 열이 전달되는 경로를 개선하기 위한 구성이다. 이는 패키지 수준의 설계 설명이다. 다이 사진 한 장에는 전체 적층 구조나 휴대폰의 냉각 장치가 드러나지 않으며, 지속 성능은 그 주변 시스템에도 영향을 받는다.

PRIMARY SOURCESamsung Semiconductor

성능 개선 수치는 비교 조건과 함께

삼성은 Exynos 2500 대비 CPU 성능 최대 39%, 생성형 AI 성능 113%, GPU 연산 성능 2배, 레이 트레이싱 최대 50% 개선을 제시한다. ENSS 적용 시 최대 3배의 부드러운 화면, ISP 전력 최대 50% 절감, 열 저항 최대 16% 감소도 내부 시험 결과다. 모두 작업과 환경에 따라 달라지는 제조사 주장으로, Museum의 실측 결과는 아니다.

PRIMARY SOURCESamsung Semiconductor

커널 분석에서 더 알 수 있는 것

gamma0burst는 Galaxy S26 커널 자료에서 CPU의 1+3+3+3 그룹과 GPU의 8WGP 구성을 읽어냈다. 이런 소프트웨어 정보는 공식 사양보다 세부적인 단서를 주지만, 다이 위의 블록 위치나 전체 내부 연결망까지 확정하지는 못한다.

PUBLISHED ANALYSISgamma0burst

칩의 기능과 실제 탑재 제품

삼성 싱가포르 출시 자료는 2026년 3월 11일부터 판매하는 Galaxy S26과 S26+에 Exynos 2600을 명시한다. 같은 표에서도 두 휴대폰의 Bluetooth 버전이 다르다. 연결 기능, 카메라 센서, 탑재 메모리는 완제품 구성의 정보이며, 모두 AP 다이 안에 통합된 기능으로 해석하면 안 된다.

PRIMARY SOURCESamsung Newsroom

다이 사진의 면적과 인터페이스 읽기

Vengineer 글에 인용된 Reptalica의 주석에는 CPU·GPU·NPU 영역의 면적 추정이 있다. Vengineer는 LPDDR PHY 위치의 변화에 주목하며 패키지 내부 연결 방식을 질문한다. 분석의 출발점으로 유용하지만 정확한 경계, 측정 보정, 패키지 배선은 아직 확인되지 않았다.

PUBLISHED ANALYSISReptalica Vengineer

참조 IP와 실제 칩의 연결망 구분

Arm은 C1-DSU가 C1 CPU 클러스터의 일관성과 메모리를 관리하고, SI L1이 일관성 인터커넥트·비일관성 NoC·선택적 시스템 캐시를 결합한다고 설명한다. 각 블록의 역할을 이해하는 데 도움이 되지만, Exynos 2600의 정확한 NoC 구성·캐시 용량·연결 관계·물리적 배치를 검증하는 문서는 아니다.

PRIMARY SOURCEArm Arm

근거가 있는 연결 따라가기

근거가 있는 연결

2 SOURCE-LINKED RELATIONSHIPS

member ofSamsung Exynos mobile processorsproduct family

Product-series membership; does not assert shared masks or identical silicon.

Samsung · 근거

이전 세대Samsung Exynos 2500silicon design

Samsung footnote 1 names Exynos 2500 as predecessor.

Samsung · 근거

THE VISUAL EVIDENCE

시각 자료

6 개의 확인된 출처

작성자가 X에 공유한 다이 사진입니다. 원문에서 사진과 토론을 자세히 볼 수 있습니다.

Die photograph · X

Samsung Exynos 2600 — annotated Chipwise die photograph

X 원문 게시물을 불러오는 중…

Samsung Exynos 2600 — annotated Chipwise die photographReptalica @Reptalicant · 2026-04-25X 원문 게시물 보기

게시 이미지 출처 · 5

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Samsung Exynos 2600 — TEM image

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700 × 499 px기술 아카이브 · 분석

Samsung Exynos 2600. STEM/TEM micrograph; exact acquisition mode from source caption or image strip

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Samsung Exynos 2600 SoC. See source caption; no chip layer inferred beyond source evidence

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Samsung Exynos 2600 SoC. Frontside die view, as identified by source

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원 출처까지

Exynos 2600 ↗ · Samsung

Exynos 2600: Official Introduction | Samsung ↗ · Samsung

Kurnal die catalog: Samsung Exynos 2600 ↗ · Kurnal Insights

Exynos 2600 — product overview and specifications ↗ · Samsung Semiconductor

Galaxy S26 and S26+ — Singapore launch and specifications ↗ · Samsung Newsroom

Exynos 2600 and Exynos 1680: kernel findings ↗ · gamma0burst

Exynos 2600 die-photo block annotations ↗ · Reptalica

Samsung Exynos 2600 SoC — Chipwise image source ↗ · Chipwise / NanoPhysics

Advanced FIB-SEM Cross-Section Analysis of Gate-All-Around devices — Chipwise image source ↗ · Chipwise / NanoPhysics