메모리 기술 연표

DRAM·HBM·3D NAND의 세대 전환을 개발, 샘플, 양산, 출하 단계로 나눠 봅니다.

“세대 이름 뒤에서 실제 고객 채택에 가까운 신호는 무엇인가?”

5비교 회사

40확인 이정표

1987–2026수록 범위

STATUS SHAPE

모양·선·텍스트가 사건 상태를 나타냅니다.

AnnouncedDevelopedSamplingRisk prod.Mass prod.ShippedTarget

FAMILY COLOR

같은 색은 회사 간 비교 동급군을 뜻하며 물리적 동등성을 뜻하지 않습니다.

Early NAND / ≤96-layer 3DHBM generation 1HBM2DRAM 1x–1z classHBM2E3D NAND 100–199 layersDRAM 1α / 1a / 14nm classHBM33D NAND 200–299 layersDRAM 1β–1γ classHBM3ELatest 3D NAND cohortHBM4

40 개 이정표5 개 회사 선택

YEAR

1987198819901992199419961998200020022004200620082010201220142016201820202022202420262027

Kioxia7

Samsung9

SK hynix9

YMTC5

Micron10

DATA NOTE사건을 열어 원문과 날짜 정밀도를 확인하세요. 월·기간·연도 기록은 불확실성 범위로 표시하고 향후 목표는 점선으로 구분합니다.

데이터 기준일 2026.07.15

이름보다 상태와 근거를 먼저 보세요.

DRAM 공정 세대와 NAND 적층 수는 서로 다른 축이며 직접 비교할 수 없습니다. 이 연표는 회사가 실제로 사용한 이름을 유지하면서, 발표·개발·샘플·위험생산·양산·출하를 공통 상태로 다시 분류합니다.

분류 원칙 보기

공개 출처에 기반한 독립적인 개인 리서치입니다. 회사 발표와 향후 목표의 상태·검증일을 구분해 표시합니다. 방법론과 독립성 고지 →

메모리 기술 연표

회사별 시간을 겹쳐 보세요.

다시 볼 비교를 나의 연표로 저장하세요.

이름보다 상태와 근거를 먼저 보세요.