VLSI KoreaDEVICE
Infineon IRF7726
Micro-8 ํจํค์ง๋ก ์ ๊ณต๋๋ ์์ฉ P์ฑ๋ ํ๋ฉดํ ์ ๋ ฅ MOSFET์ด๋ค. โ30 V ์ ์ ํ๊ณ์ โ7 A ์ ๋ฅ ์ ๊ฒฉ์ ๊ฐ๊ฐ ๋ช ์๋ ์กฐ๊ฑด์ ์ ์ฝ์ด๋ฉฐ ํจ์จ ์ธก์ ์น๊ฐ ์๋๋ค. ์ต๋ ์จ์ ํญ 26 mฮฉ์ ๊ฒ์ดํธ ๊ตฌ๋ โ10 V, ๋๋ ์ธ ์ ๋ฅ โ7 A, ์ ํฉ ์จ๋ 25ยฐC ์กฐ๊ฑด์ ํด๋นํ๋ค.
- operating Family
- planar power MOSFET
- gate Geometry
- planar cell structure
- polarity
- P-channel
- integration
- discrete power MOSFET in Micro8 package
- research Commercial
- commercial product
์ฌ์
6 SOURCE-LINKED FIELDS| Connectivity & devices | |
|---|---|
| Device family | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: product-model |
| Additional specifications | |
| Gate geometry | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: product-model |
| Polarity | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: product-model |
| Drain-source voltage maximum | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: product-model Conditions: Absolute maximum rating |
| Continuous drain current | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: product-model Conditions: TA=25ยฐC; VGS=โ10 V |
| On-resistance maximum | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: product-model Conditions: VGS=โ10 V; ID=โ7 A; TJ=25ยฐC |
์๊ฐ ์๋ฃ
์ด ์นฉ์ ๊ทผ๊ฑฐ๋ฅผ ๋ํด ์ฃผ์ธ์.
์ด ๊ธฐ๋ก์ ์ ๋ขฐํ ์ ์๋ ๊ณต๊ฐ ์๊ฐ ์๋ฃ๋ ์์ง ํ์ธํ์ง ๋ชปํ์ต๋๋ค. ๋ค์ด ์ฌ์งยทํจํค์ง ์ด๋ฏธ์งยท๋ ผ๋ฌธยท์ ์กฐ์ฌ ๋ํด๋ฅผ ์ ์ํ ์ ์์ต๋๋ค.
์ถ์ฒ์ ๋น์์ ๋งฅ๋ฝ
Infineon Technologies ยท official-disclosure ยท source linked
Infineon Technologies ยท official-disclosure ยท source linked