DEVICE
Infineon IGC27T120T8L
전력 모듈용 베어 다이로 공급되는 1200 V 트렌치·필드스톱 IGBT다. 공칭 25 A 전류는 모듈로 패키징하고 케이스 온도가 100°C인 조건을 전제로 한다. 최대 포화 전압 2.07 V는 25°C의 웨이퍼 정적 시험 결과이며, 150°C 항목은 별도로 전형값 2.25 V다. 공칭 전류, 절대 최대 정격, 고온 접합 특성을 같은 조건으로 비교하지 않도록 구분한다.
- operating Family
- IGBT
- gate Geometry
- TRENCHSTOP with fieldstop technology
- integration
- bare power-IGBT die
- application
- motor control
- research Commercial
- active commercial product
사양
9 SOURCE-LINKED FIELDS| Connectivity & devices | |
|---|---|
| Device family | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Source date: 2015-08-20 |
| Additional specifications | |
| Gate geometry | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die |
| Application | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die |
| Collector-emitter voltage maximum | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Conditions: Tvj=25°C Source date: 2015-08-20 |
| Nominal collector current | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Conditions: TC=100°C; chip packaged in a power module Source date: 2015-08-20 |
| Collector-emitter saturation voltage maximum | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Conditions: VGE=15 V; IC=25 A; Tvj=25°C; static on-wafer test Source date: 2015-08-20 |
| Collector-emitter saturation voltage typical | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Conditions: VGE=15 V; IC=25 A; Tvj=25°C; static on-wafer test Source date: 2015-08-20 |
| Hot collector-emitter saturation voltage typical | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Conditions: VGE=15 V; IC=25 A; Tvj=150°C Source date: 2015-08-20 |
| Gate-emitter threshold range | Manufacturer / primary sourceInfineon Technologies Scope: silicon-die Conditions: IC=0.85 mA; VGE=VCE; Tvj=25°C Source date: 2015-08-20 |
시각 자료
이 칩의 근거를 더해 주세요.
이 기록의 신뢰할 수 있는 공개 시각 자료는 아직 확인하지 못했습니다. 다이 사진·패키지 이미지·논문·제조사 도해를 제안할 수 있습니다.
출처와 당시의 맥락
Infineon Technologies · official-disclosure · source linked
Infineon Technologies · official-disclosure · source linked